а) расщепление кристалла во время роста и б) сращивание двух кристаллов.
Механические примеси могут быть захвачены в кристалл при его росте. Если какая-либо крупинка, включенная в кристалл, находится недалеко от его поверхности, то при понижении температуры эта крупинка действует как клин, расщепляющий кристалл. Возникающая трещина может или зарасти, или остаться свободной. В обоих случаях участки грани по разные стороны от трещины остаются под некоторым углом друг к другу (рис. 69). К каким результатам может привести такое многократно повторяющееся расщепление, видно на рис. 66. Если инородная твердая крупинка не захватывается, а оттесняется, то она оставляет на своем пути включения маточного раствора в виде канала (рис. 70). Эти каналы как слабые места тоже могут являться источниками трещин. Шубников подчеркивает, что расщеплению подвергаются в известных условиях почти все кристаллы.
Вторая причина образования вицинальных граней состоит в сращивании кристаллов. Идеальный рост кристалла предполагает, что на его гранях отлагаются ионы, атомы и молекулы в строго определенном порядке. При росте реального кристалла могут быть различные нарушения такого порядка. Степень совершенства кристалла определяется величиной тех агрегатов молекул, из которых строится реальный кристалл. Пусть идеальная грань АВ (рис. 71) кристалла растет путем прилипания к ней молекулярных агрегатов и рост ее происходит слоями. Так как эти агрегаты могут хотя бы незначительно отличаться друг от друга по своим размерам, то как бы плотно они не стремились расположиться на грани АВ, сохраняя параллельность друг другу, все же без промежутков им не удается покрыть плоскость АВ даже в первом слое. В следующих слоях по той же причине кроме пустот будет наблюдаться и непараллельность расположения агрегатов.
С уменьшением размеров агрегатов строение кристалла должно приближаться к идеальному. Нарисованная картина роста кристаллов становится правдоподобной, если принять во внимание, что в некоторых случаях кристаллы растут почти исключительно за счет прилипания к ним самопроизвольно возникающих зародышей.
Г. Г. Леммлейн изучал вицинали на аметисте. Оказалось, что угол вициналей с основной гранью ромбоэдра аметиста достигает 6—20°. На грани октаэдра кристалла квасцов он проводил едва заметную царапину и опускал кристалл в пересыщенный раствор на несколько секунд. Около царапины сначала вырастало множество мелких вициналей, а затем число уменьшалось и через 2—3 минуты оставалось несколько крупных вициналей, покрывающих всю грань октаэдра (рис. 72).
Итак, до сих пор нет ясного представления о причинах образования вициналей. Вероятно, эти причины различны в разных случаях и образованию вициналей нельзя дать единое объяснение.