Согласно Кюри и Бравэ, скорость роста грани кристалла, как и ее поверхностная энергия, находится в обратной зависимости от ее ретикулярной плотности. Ограничиваясь такими представлениями о существовании для каждой молекулярной (ионной, атомарной) плоскости кристалла определенной скорости, можно построить поверхность скоростей. Из одной точки откладывается по всевозможным направлениям соответствующие скорости роста. На этой
поверхности имеются резко выраженные минимумы, которые соответствуют скоростям роста наиболее часто встречающихся граней кристалла (рис. 48). В кубической сингонии наиболее частыми формами являются грани с наибольшими ретикулярными плотностями: гексаэдр, ромбододекаэдр, октаэдр. Однако не всякая молекулярная плоскость в кристаллической решетке может быть гранью. Существуют грани реальные, действительно ограняющие кристалл, и грани физически возможные, т. е. такие, которые могут быть у кристаллов данного вещества только при определенных условиях роста. Большинство плоскостей в кристаллической структуре — грани физически невозможные, которыми никогда и ни при каких условиях кристалл не может быть ограничен.
Следовательно, поверхность скоростей роста кристалла может рассматриваться как форма кристалла с кривыми поверхностями, которая в свою очередь представляет собой индикатрису скоростей роста. Опыт показывает, что кристаллы с кривыми поверхностями можно получить из сильно пересыщенных растворов (паров) и переохлажденных расплавов в условиях равномерного распределения концентрации питательного материала.
Опыты А. В. Шубникова по кристаллизации алюмо-калиевых квасцов из водного раствора и салола из расплава указывают на зависимость формы роста этих кристаллов от степени стабильности системы. По мере увеличения пересыщения форма кристаллов алюмо-калиевых квасцов, принадлежащих к кубической системе, приближалась к сферической. С увеличением переохлаждения расплава кристаллы салола, принадлежащие к ромбической системе, приобретали форму лодочки.
Скачать реферат:
Пароль на архив: privetstudent.com