Наблюдения показывают, что частота встречаемости граней падает с повышением симметрии. Но если принять во внимание относительную величину граней на кристаллах, то преобладающее значение имеют грани с высокой плоскостной симметрией. В редких
случаях грани с высокой величиной симметрии не будут габитусными.
П. Ниггли впервые отметил необходимость перехода от чисто геометрических воззрений к новым понятиям, связанным c реальными структурами. Он предложил учитывать не ретикулярную, а «физическую» плотность сеток, учитывая атомные веса, приходящиеся на площадь элементарного параллелограмма сетки. Ясно, что необходимо считаться с анизотропией химических связей, особенно в случае ионных структур. Учитывая это, В. С. Соболев придал правилу Бравэ кристаллохимический смысл: «Наиболее важные габитусные грани (пояса) развиваются параллельно направлению наиболее прочных химических связей в кристаллической решетке».
П. Гартман и В. Пердок выдвинули положение, согласно которому огранение кристалла должно определяться цепями сильных связей. Эффективный период такой цепи связи назван «вектором цепи связи» или РВС-вектором («Periodic bond chain vector»). Выявляя эти векторы, грани кристалла можно разделить на три группы: F — грани (плоские сетки), которые проходят параллельно двум или более РВС-векторам; S — ступенчатые грани, проходящие
параллельно только одному вектору; К — грани, образованные вершинами, которые не параллельны ни одному РВС-вектору (рис. 49).
Удалось показать, что среди граней, определяющих форму роста, преобладают F-грани, К-грани встречаются редко, S-грани занимают промежуточное место.
Скачать реферат:
Пароль на архив: privetstudent.com